Ученые из НИУ «МИЭТ» вместе с коллегами из Италии и Германии предложили новую технологию получения двумерного теллурида галлия — важного материала передовой электроники. Результаты их исследования опубликованы в журнале npj 2D Materials and Applications, принадлежащем Springer Nature.
Будущее современной электроники напрямую связано с созданием новых материалов и их интеграцией в технологии производства чипов. Сейчас, по словам специалистов, большой интерес вызывают так называемые двумерные (2D) материалы, обладающие уникальными свойствами.Материалы этого класса имеют слоистую структуру, объяснили ученые. В пределах отдельного слоя атомы связаны жесткими ковалентными связями, а слои между собой — слабыми межмолекулярными связями Ван-дер-Ваальса.Специалисты отмечают, что контролируемое создание таких структур на стандартных полупроводниковых подложках связано с множеством проблем. Наиболее важная из них — дефекты на стыке формируемого материала и подложки, вызванные структурными несоответствиями между кристаллическими решетками. Такие дефекты сильно снижают эффективность 2D-материалов и негативно влияют на их структуру.
Команде специалистов НИУ «МИЭТ» и их зарубежным коллегам удалось решить эту проблему, предложив новый метод выращивания 2D-кристаллов теллурида галлия на кремниевой подложке. По словам ученых, разработка позволяет интегрировать это соединение с востребованными нелинейно-оптическими свойствами в уже существующую технологию изготовления чипов. В дальнейшем научный коллектив намерен продолжить как разработку других двумерных материалов на подложке кремния, так и фундаментальные исследования в этой области.
